| 型号： | FDC658P | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| FDC658P PDF |  |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告 | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | PowerTrench® |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 50 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 750pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 包装 | 带卷 (TR) |